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반도체 제조 (발췌)

게시자: Sundew Shin, 2009. 6. 29. 오전 3:13   [ 2012. 3. 21. 오전 5:09에 업데이트됨 ]
(원문출처: http://k.daum.net/qna/view.html?qid=2ea1r)

제조과정

반도체소자의 제조공정은 제조하고자 하는 반도체소자에 따라 조금씩 공정이 추가될 것이나, 기본적으로 18단계의 공통과정에 의하여 제조된다:
  1. 단결정성장
    고순도로 정제된 실리콘 용융액에 시드(Seed) 결정을 접촉하고 회전시키면서 단결정규소봉(Ingot)을 성장시킨다.
  2. 규소봉절단
    성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다. 웨이퍼의 크기는 규소봉의 구경에 따라 결정되며 3인치, 4인치, 6인치, 8인치로 만들어지며 최근에는 12인치 대구경 웨이퍼로 기술이 발전하고 있다.
  3. 웨이퍼 표면연마
    웨이퍼의 한쪽면을 연마(Polishing)하여 거울면처럼 만들어주며, 이 연마된 면에 회로패턴을 형성한다
  4. 회로설계
    CAD(Computer Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계한다.
  5. 마스크(Mask) 제작
    설계된 회로패턴을 유리판 위에 그려 마스크를 만든다.
  6. 산화(Oxidation) 공정
    800~1200℃의 고온에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼표면과 화학반응시켜 얇고 균일한 실리콘산화막(SiO2)을 형성한다.
  7. 감광액 도포(Photo Resist Coating)
    빛에 민감한 물질인 감광액(PR)을 웨이퍼 표면에 고르게 도포시킨다.
  8. 노광(Exposure) 공정
    노광기(Stepper)를 사용하여 마스크에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 감광막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진 찍는다.
  9. 현상(Development) 공정
    웨이퍼 표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상시킨다.
  10. 식각(Etching) 공정
    회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 가스를 사용하여 필요없는 부분을 선택적으로 제거시키는 공정이다.
  11. 이온주입(Ion Implantation) 공정
    회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 가스입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어 주며, 이러한 불순물주입은 고온의 전기로 속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 확산공정에 의해서도 이루어진다.
  12. 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition) 공정
    반응가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정이다.
  13. 금속배선(Metallization) 공정
    웨이퍼 표면에 형성된 각 회로를 알루미늄선으로 연결시키는 공정이며, 최근에는 알루미늄 대신에 구리선을 사용하는 배선방법이 개발되고 있다.
  14. 웨이퍼 자동선별(EDS Test)
    웨이퍼에 형성된 IC칩들의 전기적 동작여부를 컴퓨터로 검사하여 불량품을 자동선별한다.
  15. 웨이퍼 절단(Sawing)
    웨이퍼상의 수 많은 칩들을 분리하기 위해 다이아몬드 톱을 사용하여 웨이퍼를 전달한다.
  16. 칩 집착(Die Bonding)
    낱개로 분리되어 있는 칩 중 EDS 테스트에서 양품으로 판정된 칩을 리드 프레임 위에 붙이는 공정이다.
  17. 금속연결(Wire Bonding)
    칩 내부의 외부연결단자와 리드프레임을 가는 금선으로 연결하여 주는 공정이다.
  18. 성형(Molding)
    연결 금선 부분을 보호하기 위해 화학수지로 밀봉해 주는 공정으로 반도체소자가 최종적으로 완성된다.

제조기술

300㎜(12인치)웨이퍼 공정 기술

현재 일반적으로 사용되고 있는 200㎜(8인치)웨이퍼에 비하여 300㎜(12인치)웨이퍼의 최대 장점은 반도체소자의 제조원가를 절감하는 것이다. 200㎜와 300㎜웨이퍼를 단순 비교해 보면 0.18㎛의 256MD램을 생산할 때 200㎜웨이퍼는 200개인데 반해 300㎜웨이퍼는 최대 450개의 유효 칩을 얻을 수 있게 되어 300㎜웨이퍼는 200㎜웨이퍼에 비해 2.25배의 칩을 더 생산할 수 있게 된다. 이와 같이 반도체 업계가 300㎜웨이퍼 시대의 도래에 기대를 걸고 있는 것은 300㎜웨이퍼 시대가 본격화할 경우 보다 싸게 반도체를 대량 생산할 수 길이 열리기 때문이다. 이와 관련하여 300㎜웨이퍼 공정장비의 개발이 활발해지면서 반도체업계의 관심은 300㎜웨이퍼 가공기술의 본격적인 상용화 시점인데 그 시점은 2003년 이후라는 관측이 지배적이다. 반도체 업계가 상용화 시점에 촉각을 세우는 것은 막대한 자금을 들여 200㎜웨이퍼공정에 투자했다가 300㎜웨이퍼시대가 조기에 등장하면 경쟁력을 잃을 가능성이 크며 특히 생산능력 자체가 무기인 메모리 반도체업계로서는 미래 시장을 경쟁사에 고스란히 내줄 수도 있어 상용화 시점의 판단에 따라서 반도체업체의 사활이 좌우될 수 있기 때문이다. 또한, 현재 300㎜웨이퍼 가공설비 개발을 두고 미국업체를 중심으로 하는 웨이퍼 기술 표준화 단체인 국제 반도체장비기술(세마테크)진영과 일본업체를 중심으로 하는 반도체첨단테크놀로지(세리트)진영사이에서 치열한 기술표준화 경쟁이 벌어지고 있다. 앞으로 어느진영이 표준기술을 개발하느냐에 따라 반도체 장비업계의 구도에 커다란 변화가 예상되고 있다.

300㎜웨이퍼 공정장비의 개발이 활발한 가운데에서도, 2003년 이후에 300㎜ 웨이퍼가 상용화될 것이라는 의견에 대한 반론도 적지 않아서 당분간 200㎜ 실리콘 웨이퍼의 수요가 지속적으로 늘어날 것으로 전망하기도 하는데, 그 이유로 대체 제품인 300㎜웨이퍼가 신규라인 건설에 따른 비용부담이 과다하고 웨이퍼 자체의 신뢰성이 아직 검증되지 않은 상태이고 웨이퍼가 300㎜로 대구경화하면서 플라즈마 밀도나 공정 관련 요소들의 균일도가 나빠지는 문제점때문으로 분석되고 있다. 그러나, 300㎜웨이퍼시대의 도래는 시기만이 문제일 뿐이며, 이의 도래는 당연한 것으로 받아 들여지고 있다.

300㎜ 제조공정용 장비의 세계시장 규모는 2000년 50억달러에서 오는 2001년 90억달러, 2002년에 132억달러를 형성할 것으로 전망되며 이 시장을 선점하기 위한 국내 반도체 장비업체들도 적극적이어서 국내 반도체 장비업체들은 300㎜ 제조공정용 장비 가운데 전공정의 핵심장비인 화학증착(CVD)장치, 애셔(Asher)장치, 화학. 기계적연마(CMP)장치의 개발에 적극 나서는 한편, 국내 소자업체들과 공동으로 300㎜용 장비개발과 시험평가에 나섬으로써 공정분야기술 및 노하우 축적에 많은 성과를 올리고 있어 300㎜장비 상용화 시점을 크게 앞당길 것으로 기대되고 있다.

구리칩 배선기술

반도체소자의 금속배선재료로서 알루미늄은 실리콘 산화막과의 부착성이 좋고 가공성이 뛰어나다는 점에서 저항율 특성이나 일렉트로마이그레이션 내성이 구리보다 약함에도 불구하고 현재 널리 사용되어 오고 있다. 그러나 반도체소자의 고속실현을 위해서는 알루미늄배선으로는 한계가 있는데 이를 해결하기 위해 알루미늄에 비해 저항이 작아 전자신호를 더욱 빨리 전송할 수 있는 구리를 사용하기 시작했다. 구리를 사용하면 알루미늄에 비해 40% 가량 성능을 높이는 반면 제조비용은 30%까지 낮출 수 있다. 칩 집적도 향상과 단가인하가 반도체생산업계의 최우선 목표인 것을 생각하면 구리배선의 이러한 장점은 대단한 것이라고 할 수 있다. 구리배선의 이러한 장점에도 불구하고 반도체 분야에서 알루미늄배선이 사용됐던 이유는 구리배선은 알루미늄과는 달리 식각이 잘 되지 않아 원하는 패턴으로 만들어 내기가 곤란한 공정기술의 어려움과 구리물질이 지닌 유독성문제라고 할 수 있다.

그러한 구리배선의 문제를 해결하고자 하는 노력이 반도체장비개발업계의 초미의 관심사였는데, 기존의 식각기술로는 구리패턴을 얻을 수 없는 기술적 한계 때문에 다마스커스(Damascene)기술이라고 하는 방법이 개발됐고 이를 이용한 구리배선기술이 현실적으로 가능하게 됐다. 다마스커스기술이란 유전물질을 절연층 위에 덮고 화학.기계적 연마(CMP)공정으로 평평하게 만든 뒤 절연층에 구리층이 형성되도록 배선층을 만들고 구리가 절연층에 침투되어 특성이 나빠지는 것을 방지할 목적으로 장벽(barrier)층을 형성한 후에 이를 구리로 채운 다음에 CMP공정으로 절연층이 드러나는 곳까지 구리를 갈아내서 구리배선을 얻는 것이다.

현재 구리칩 제조기술은 마이크로프로세서 등 주로 비메모리분야에서 적용되고 있으며 이의 기술선도는 반도체장비업체인 노벨러스, 어플라이드 머트리얼즈 등을 비롯한 미국업체에 의하여 이루어져 왔다. 따라서 이들 업체는 구리공정에 대한 기술적 노하우를 상당 수준 축적한데 반해 우리나라는 아직 이 분야에 대해 충분한 기술적 노하우를 확보하지 못하고 있다. 특히 국내 반도체업체들이 주력하고 있는 DRAM의 경우 구리칩 기술이 실제 적용되기 위해서는 많은 시간이 소요될 것으로 예상되나 결국 세계 DRAM 제조기술을 선도하고 있는 국내 업체가 세계 최초로 구리칩 기술을 DRAM에 도입할 것으로 보여 이에 대한 국내 업체들의 보다 적극적인 기술확보 및 개발 노력이 절실한 시점이다.

SOI 웨이퍼

웨이퍼의 변화는 대구경화의 추세와 더불어 새로운 형태의 웨이퍼의 상용화가 예상되는데 그것은 실리콘 2중막 형태의 SOI (Silicon On Insulator)웨이퍼이다. 그동안 반도체 웨이퍼시장을 주도해온 폴리시드(Polished) 웨이퍼는 실리콘봉(Ingot)에 존재하는 미세한 결함들로 인해 고집적을 실현하기에는 한계가 있어 실리콘웨이퍼 위에 에피텔셜성장층을 가진 에피(Epi)웨이퍼가 등장하게 되었다. 또한 최근들어 실리콘 단결정 봉(Ingot)을 성장시키는 과정에서 성장속도와 열처리 조건을 독자적으로 처리, 웨이퍼 표면의 산소원자 및 불순물과 기타 결함 등을 완전히 제거한 폴리시드형태의 결함제어웨이퍼도 개발되었는데, 이러한 것들은 반도체소자의 초미세 디자인 룰의 적용을 만족시키기 위한 노력이라고 할 수 있을 것이다. 현재 폴리시드형태의 결함제어웨이퍼는 표면의 무결함특성을 가질 뿐만 아니라 수율까지 우수하여 당분간 주로 사용될 것이다.

이와 더불어 SOI 웨이퍼를 이용한 고속 칩 제조기술이 1GD램 이상 고집적 메모리 및 고성능 마이크로프로세서 제조에 대응하는 차세대 반도체 공정 기술로 급부상하고 있다. SOI 웨이퍼 기술은 반도체를 만드는 재료인 실리콘 웨이퍼에 절연막을 입히고 그 위에 다시 실리콘 박막을 형성시켜 전자 누설을 막고 칩의 집적도를 높이는 기술로 초미세가공에 쓰일 것으로 예상되는 차세대 기술이다. 특히 SOI 기술은 트랜지스터의 저항을 줄여 저전력 고속 칩을 생산할 수 있도록 함으로써 1기가급 이상의 메모리 반도체는 물론 저전력과 저전압 특성이 요구되는 휴대형 정보통신기기용 반도체 소자 생산에 폭넓게 사용될 것으로 전망된다.
현재 SOI 웨이퍼는 기존 웨이퍼에 비해 매우 높은 가격을 형성하고 있어 아직까지 그 적용 분야가 매우 제한적이지만 향후 반도체의 고집적화가 급진전될 경우 이 제품 채용이 불가피할 것으로 예상되며 당분간 폴리시드 제품이 주력 웨이퍼의 자리를 계속 고수하고 에피웨이퍼는 일부 분야에서만 사용될 것이나 기가급 반도체가 양산될 2003년 이후부터 SOI 웨이퍼의 채택도 본격화될 것으로 예상된다.

DUV용 스테퍼(Stepper)

반 도체산업을 흔히 장치산업이라 일컫는다. 그만큼 장치, 특히 장비가 투자적인 측면이나 기술적인 측면에서 큰 비중을 차지하고 있다는 것을 의미한다. 0.12㎛ 디자인 룰 선폭시대도 곧 일반화 될 것으로 예측되는 바, 이렇게 패턴이 작아지고 웨이퍼가 대구경화됨에 따라 장비성능에 대한 요구도 넓어지고 엄격해지고 있는데 공정기술의 발전을 뒷받침할 수 있는 장비기술의 동반 발전 필수적이기 때문이다. 노광장비는 마스크 패턴을 빛 등의 매체를 통해 웨이퍼로 전달하는 것으로서 고집적화를 선도하는 중요 장비라고 할 수 있다. 노광장비의 개발방향은 사용광원 및 노광방식에서 찾을 수 있는데 사용광원면에서 보면 노광공정에서 해상도는 사용하는 빛의 파장이 짧을수록 우수해진다. 현재 노광장비에는 i라인 빛이 많이 사용되고 있으나 패턴이 미세화되면서 고집적 반도체 제조를 위한 DUV(Deep Ultra Violet)용 노광공정 도입이 최근 본격화 되면서 이의 필수 장비인 스테퍼에 대한 개발이 활발한데, DUV용 스테퍼는 기존의 i라인 광원 대신 KrF(불화크립톤) 엑시머 레이저를 사용, 미세 패턴을 형성할 수 있도록 하는 첨단노광 장비이다. 한편 해상도를 높이는 방법으로 사용광원의 파장을 짧게 하는 것외에도 PSM(Phase Shift Masking) 등의 기법도 장비에 응용되고 있다.

노광방식은 스텝방법에서 스캔방법으로의 변화가 예상된다. 칩 크기가 증가함에 따라 노광면적이 커져 장비의 렌즈 크기도 같이 증가할 필요성이 생겼다. 그러나 KrF 엑시머레이저용 렌즈의 재료는 매우 고가일 뿐 아니라 대형렌즈를 정밀하게 가공하는 것 역시 기술적으로 매우 어려운 일이다. 스캔방식은 웨이퍼와 마스크를 동시에 이동하면서 가는 슬릿을 통해 노광하는 것으로 스캔 방향으로 칩의 크기에 관계없이 노광이 가능하기 때문에 장비에서 렌즈 크기 문제를 극복할 수 있다.

2000년 현재 반도체장비의 국산화율은 20%내외로 매우 미흡하다 할 것이며, 도포기, 식각기, 이온주입기 등의 장비는 합작 혹은 기술제휴로 국내기업에서 조립생산하고 있으며 후공정에 적용되는 조립장비에 대한 국산화율만 30%를 넘을 뿐, 수요비중이 높고 핵심장비에 해당하는 전공정장비는 거의 대부분을 수입에 의존하고 있으며 전공정장비에서 가장 중요한 노광기(Stepper)는 전량 미국, 일본에서 수입하고 있는 실정이다. 노광기는 일본의 니콘이 전세계시장의 절반을 공급하고 있으며 출하타이밍이 생명인 반도체 제품의 성격상 핵심장비의 적기획득에 어려움을 겪을 수 있다는 측면에서 전공정장비에서 가장 중요한 노광기의 개발은 우리업계가 풀어야 할 커다란 과제가 아닐 수 없다.

마이크로 BGA 패키징 및 웨이퍼레벨 패키징기술

반 도체소자의 소형화 지향은 휴대형 제품에 응용되는 반도체소자에서 두드러지며 끝이 보이지 않을 정도로 경쟁이 치열하다. 휴대용PC와 이동 전화 제품의 경박단소화가 핵심부품인 반도체를 더욱 작게 만들도록 유도하고 있으며 이러한 제품의 다기능화가 고집적화를 유도하고 있으며 이러한 요구는 마이크로 BGA(Ball Grid Array)패키징기술 및 웨이퍼레벨 패키징기술의 발전을 가져왔다.

그동안 적용되어 온 일반적인 반도체 패키지는 리드프레임 위에 완성된 칩을 접착하고 칩과 외부 연결리드를 연결한 후 이를 다시 에폭시몰딩컴파운드(EMC)로 밀봉하는 매우 복잡한 형태이지만, 웨이퍼레벨패키징은 웨이퍼에서 칩으로 절단하여 낱개의 칩을 패키징하던 칩레벨패키징공정 대신 웨이퍼상태에서 패키징과 테스트한 후 낱개의 완제품으로 절단하는 패키징방법으로 기존 패키징 방법보다 공정이 줄고 웨이퍼상태로 모든 공정을 거치게 되므로 비용절감이 기대된다. 또한 패키지의 크기도 칩크기와 동일하여 전자기기를 소형화하는데 큰 이점이 있다.

또한, 마이크로 BGA는 리드프레임 대신 박막 필름 위에 칩을 접착한 후 실리콘 소재로 이를 덮어 씌우고 그 밑에 원형 다리(Ball)를 접착시키는 제조공정이 매우 간단하다는 특징을 지니고 있다. 따라서 이러한 마이크로 BGA 패키지가 일반화될 경우에 솔더볼을 접착시키는 솔더볼 접착 장비 및 마이크로 BGA 패키지에 사용되는 미세 구경 솔더 볼의 개발등이 주력 아이템으로 부상할 것으로 보인다. 또한 마이크로 BGA 조립 기술은 칩의 3배 이상 크기인 기존의 반도체 패키지 사이즈를 칩의 1.2배 이하 수준으로까지 줄일 수 있는 장점을 지니고 있다. 더구나 마이크로 BGA가 향후 주력 패키지 형태로 자리잡을 것이 확실시 되기 때문에 머지않은 장래에 조립장비 시장은 일대 변혁을 겪게 될 것으로 전망된다. 실제로 최근 마이크로 BGA 패키지는 휴대폰, 노트북PC, 개인정보단말기(PDA)등 각종 휴대형 정보통신기기는 물론 디지털 카메라, 디지털 비디오 등 휴대형 가전기기를 중심으로 그 채택비율이 크게 증가하고 있으며 세계 및 국내 반도체 생산 업체들도 이에 대한 설비 투자를 대폭 늘리고 있는 추세이다. 또한 미세 구경의 조건과 함께 요구되는 각종 물리적 특성이 까다로워 마이크로 BGA급에 해당하는 0.3㎜구경 솔더볼의 경우에 외국으로부터 전량 수입 사용해 국산화 요구가 끊임없이 제기돼 왔는데, 이러한 솔더 볼이 최근들어 국내에서 개발되어 기존 외국제품보다 훨씬 저렴한 가격에 제품을 공급할 수 있게 되었다.

반도체 메모리의 종류

가장 잘 알려진 메모리 반도체로는 DRAM, SRAM, NAND FLASH, NOR FLASH, MASK ROM이 있습니다. 그리고 현재 개발중인 것으로는 M-RAM, P-RAM, Fe-RAM이 있습니다.

먼 저 메모리의 종류는 전원을 끄면 data가 그대로 남아 있는지의 여부로 구분을 해서 휘발성(Volatile) 메모리인 DRAM, SRAM이 있고 반대로 전원을 꺼도 계속 data가 저장이 되는 비휘발성(Non-volatile) 메모리인 FLASH, MASK ROM, M-RAM, P-RAM, Fe-RAM이 있습니다. 이제부터 각각의 특징에 대해서 말하면 DRAM이 사용되는 곳은 PC의 주기억장치와 그래픽 카드의 메모리로 주로 사용이 되고 있습니다. 일정한 주기로 refresh라고 하는 동작을 해서 data를 보존해 주어야하기 때문에 소모 전력이 큰 단점이 있지만 FLASH에 비해서 동작속도가 빠르고 SRAM에 비해서 집적도가 크기 때문에 현재 메모리들 중에서 시장이 가장 크고 널리 쓰이는 것입니다.

초기의 일부 mobile 기기에 사용이 되었지만 현재는 저전력 SRAM(Low Power SRAM)과 FLASH 메모리에 그 자리를 내주고 있는 상황입니다. DRAM도 종류가 많아서 EDO DRAM, S-DRAM(Syncronous-DRAM), AS-DRAM(Asyncronous-DRAM), DDR-DRAM, RDRAM(Rambus-DRAM)등이 있는데 이것은 DRAM Cell의 구조는 동일하지만 data 입출력을 어떻게 하도록 설계를 하였는가의 차이입니다.
SRAM은 가장 먼저 개발이 된 메모리로서 속도와 소모 전력에 따라서 Low Power SRAM과 High Speed SRAM으로 구분이 됩니다. Low Power SRAM은 동적 속도는 좀 느리지만 기기가 동작을 하지 않는 대기모드(Standby mode)에서 소모 전류를 극소화 해서 주로 mobile 기기의 주기억장치로 쓰이고 있습니다. High speed SRAM이 쓰이는 곳은 빠른 연산속도를 필요로 하는 중대형 이상의 컴퓨터들 (예를 들면 슈퍼 컴퓨터)의 주기억 장치로 사용이 됩니다.

보통의 대형 컴퓨터에 탑재가 되는 SRAM의 용량은 수 Giga Byte에서 수백 Giga Byte에 이르기도 합니다. SRAM은 DRAM과는 달리 refresh 동작이 필요치가 않지만 집적도면에 있어서는 메모리들 중에서 가장 떨어져서 고가로 팔리고 있습니다. 속도나 소모 전력에 의한 구분이 아닌 Cell 구조의 차이로는 4-Tr SRAM, 6-Tr SRAM, 8-Tr SRAM으로도 구분이 되지만 사용자들의 입장에서는 알기 힘든 것입니다.

FLASH Memory(제조 업체에서는 NVM - Non Volatile Memory라고 부릅니다.)는 위에서 NOR FLASH와 NAND FLASH가 있다고 있는데 메모리를 만드는 기본 원리는 동일하지만 Cell을 어떻게 구성했는냐에 따라 구분이 되어 지는 것입니다. NAND FLASH는 CODE 저장형, NOR FLASH는 DATA 저장형이라고도 부릅니다. 메모리의 속도에 있어서는 SRAM과 DRAM에 비해서 제법 떨어지는 편이어서 기기의 주기억 장치로는 쓰이지 않고 그야말로 순수한 Data 저장의 목적으로 쓰이고 있습니다. 메모리의 집적도 면에서는 NAND FLASH가 NOR FLASH보다 동일한 공정을 사용한다고 하면 8배 가량 뛰어나지만, read / write 속도에서는 NOR FLASH쪽이 뛰어납니다. FLASH 메모리는 그것을 구현하는 물리적 원리 덕분에 실제 Cell은 1Giga bit를 만들고도 2Giga bit 또는 4 Giga bit로도 만들 수가 있습니다. 이것을 MLC(Multi Level Chip)이라고 합니다. 아마 현재 구현되어 있는 메모리 중에서는 집적도가 가장 뛰어난 것으로 알고 있습니다.

MASK ROM은 우리가 쉽게 볼 수 있으면서도 잘 느끼지 못하는 곳에 쓰이고 있는데, 컴퓨터의 BIOS에서는 MASK ROM을 쓰고 있으며 신용카드나 교통카드에도 들어갑니다. ROM(Read on-ly Memory)이라고 하는 이름에서도 알 수 있듯이 한번 쓰고 나면 data를 수정할 수 없는 메모리입니다. 물론 ROM writer라고 하는 장비를 써서 그 내용을 고칠 수도 있고 프로그램 적으로 일부분의 data를 변경할 수는 있지만 쉽지가 않은 작업입니다. 사용되는 곳의 특성상 메모리의 용량이 크지가 않습니다.

그리고 지금 개발중에 있는 M-RAM, P-RAM, Fe-RAM등은 FLASH 메모리와 사용되는 곳이 겹 치고 있는데 현재는 FLASH가 시장을 주도하고 있지만 이것들이 상용화 되면 그 응용분야는 보다 더 광범위해질 것으로 보고 있습니다. M-RAM은 자성의 성질 중에서 SPIN이 Up과 Down으로 나뉘어 지는 것을 이용하고, P-RAM은 물체의 상(phase)이 결정일 때와 비결정일 때 전기전도도와 같은 성질이 차이가 나는 것을 이용하며, Fe-RAM은 DRAM과 구현원리가 동일하지만 refresh가 필요없는 장점이 있습니다. 세 개 모두 아직은 4M bit 정도의 수준이지만 메모리 반도체 제조회사들 사이에서는 경쟁적으로 용량을 키우고 있어 수년 안으로 이것들이 사용되는 것을 볼 수 있을 겁니다.

반도체 소자의 재료

재료로는 게르마늄이나 규소를 비롯하여 아산화구리 ·황화카드뮴 등 화합물이나 혼합물이 사용됩니다. 이들의 반도체에는 n형 ·p형 ·진성(眞性) 등 성질상 구분이 있으며, 그들을 단체(單體)로, 또는 몇 개를 서로 접합해서 사용한다고 한다는
군요

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